ซัมซุงประกาศว่าเริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 3.0 แบบแมสแล้ว ทำความเร็วในการอ่านเขียนจาก eUFS 2.1 ขึ้นมา 2 เท่าอยู่ที่ 2,100MB/s สำหรับการอ่านและ 410MB/s สำหรับการเขียน
ส่วนการอารเขียนแบบสุ่มก็เพิ่มขึ้นมาอยู่ที่ 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ โดยหน่วยความจำ eUFS 3.0 ที่จะถูกผลิตออกมาก่อนคือความจุ 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะเริ่มผลิตตามมาในช่วงครึ่งหลังของปีนี้
ที่มา – Samsung
Samsung ประกาศเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำ eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) ความจุ 512GB รายแรกของโลก ซึ่งมีความเร็วเพิ่มขึ้น 2 เท่า เมื่อเทียบกับมาตรฐานปัจุบันอย่าง eUFS 2.1 และจะถูกนำมาใช้กับสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ที่จะออกมาในอนาคต
eUFS 3.0 ความจุ 512GB มีความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงสุด 2100MB/s เร็วกว่า 2 เท่า เมื่อเทียบกับมาตรฐาน eUFS 2.1 หรือเร็วกว่า 4 เท่า เมื่อเทียบกับความจำ SSD ที่รันบนอินเทอร์เฟซ SATA และเร็วกว่า 20 เท่า เมื่อเทียบกับการ์ด microSD ทั่วไป
นอกจาก ความจุ 512GB บริษัทใหญ่จากเกาหลีใต้ ยังมีแผนผลิตความจุ 128GB ในเดือนนี้เช่นเดียวกัน และในช่วงครึ่งหลังของปี จะผลิตความจุ 256GB และ 1TB
ที่มา – Samsung
ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 2.1 ขนาดความจุ 1TB สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่ โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 16 เลเยอร์ อัตราการอ่านข้อมูลแบบ sequential read อยู่ที่ 1000 MB/s เร็วกว่า eUFS ความจุ 512GB ที่มี sequential read ที่ 860 MB/s และเร็วกว่า SSD ขนาด 2.5 นิ้ว สองเท่า
ส่วนของการเขียนข้อมูลแบบ sequential write อยู่ที่ 260 MB/s, ความเร็วในการอ่านแบบสุ่ม 58,000 IOPS และความเร็วในการเขียนแบบสุ่ม 50,000 IOPS
รองรับการจัดเก็บวีดีโอ 4K ความยาว 10 นาที ได้ 260 ไฟล์, การโอนไฟล์วีดีโอ Full HD ขนาด 5GB ได้เร็วกว่า NVMe SSD ห้าเท่า และเร็วกว่า microSD ทั่วไป 10 เท่า
ซัมซุงระบุว่าจะขยายการผลิต eUFS ความจุ 1TB ในเกาหลีใต้ในช่วงครึ่งปีแรกนี้
ที่มา : Samsung
หน่วยความจำภายในของสมาร์ทโฟนในปัจจุบันมีอยู่ 2 มาตรฐาน คือ eMMC กับ UFS โดยมาตรฐาน UFS (Universal Flash Storage) จะมีความเร็วในการอ่านหรือเขียนข้อมูลดีกว่า จึงมักถูกนำมาใช้กับสมาร์ทโฟนระดับเรือธง และในปีที่แล้วกลุ่ม JEDEC ก็ได้เปิดตัวมาตรฐานใหม่ UFS 3.0 ซึ่งจะถูกนำมาใช้แทนมาตรฐาน UFS 2.1 ในอนาคต
รายงานล่าสุดพบว่าฐานข้อมูลของ AndroBench มีการทดสอบหน่วยความจำมาตรฐาน UFS 3.0 แล้ว โดยมีความเร็วในการอ่านสูงสุด 2279.9MB/s และมีความเร็วในการเขียนสูงสุด 1801.1MB/s ซึ่งมีประสิทธิภาพดีกว่าเดิม 2 เท่า เมื่อเทียบกับมาตรฐาน UFS 2.1
อย่างไรก็ตาม ในปัจจุบันยังไม่มีชิปประมวลผลที่สนับสนุนหน่วยความจำมาตรฐาน UFS 3.0 แต่ Samsung ได้ประกาศออกมาแล้วว่า Exynos 9820 จะรองรับมาตรฐาน UFS 3.0 และคาดว่าชิป Snapdragon 855 จาก Qualcomm ก็จะสนับสนุนเช่นกัน นั่นหมายถึงมีความเป็นไปได้สูงที่ Samsung Galaxy S10 จะเป็นสมาร์ทโฟนรุ่นแรก ที่ได้รับหน่วยความจำมาตรฐาน UFS 3.0
ที่มา – Gizchina
ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำ eUFS แบบฝังขนาดความจุ 512GB แบบแมสแล้ว โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 64 เลเยอร์ ซึ่งมีขนาดเท่ากับตัวเดิมอย่าง 256GB แบบ 48 เลเยอร์
ในแง่ของความเร็วของชิป eUFS ขนาด 512GB ตัวนี้สามารถอ่านเขียนได้ความเร็วสูงสุด 860 MB/s และ 255 MB/s ตามลำดับ ส่วนแบบสุ่มอยู่ที่ 42,000 IOPS และ 40,000 IOPS ตามลำดับ สามารถโอนไฟล์ FHD ขนาด 5GB ได้ภายใน 5 วินาที
ซัมซุงจะระบุว่าถึงแม้จะเริ่มสายการผลิตชิป eUFS ความจุ 512GB แล้วแต่ก็ยังคงให้ความสำคัญกับ eUFS ขนาด 256GB ที่ยังคงเป็นที่ต้องการของตลาดอยู่เช่นเดิม
ที่มา – Samsung
เมื่ออุตสาหกรรมรถยนต์เริ่มเปลี่ยนผ่านและมีเทคโนโลยีมาเกี่ยวข้องมากขึ้น บริษัทด้านเทคโนโลยีก็เริ่มเข้ามามีส่วนร่วมกันมากขึ้นเรื่อยๆ ล่าสุดซัมซุงเปิดตัวโซลูชันหน่วยความจำ Universal Flash Storage แบบฝังตัวในชื่อ eUFS (embeded UFS) สำหรับรถยนต์ฉัจฉริยะ
eUFS มีสองขนาดคือ 128GB และ 64GB รองรับแอปพลิเคชันอย่างระบบไร้คนขับ, แดชบอร์ดและระบบ infotainment ที่ฉลาดมากขึ้นยนรถยนต์รุ่นใหม่ๆ และรถยนต์ในอนาคต โดย eUFS มาตามมาตรฐาน JEDEC UFS 2.1 ทำให้ได้ความเร็วในการอ่านสูงสุด 850MBps และความเร็วในการอ่านแบบสุ่มสูงสุดที่ 45,000 IOPS
ซัมซุงระบุด้วยว่า eUFS มีระบบ MIPI UniPro Protocol สำหรับตรวจจับและซ่อมแซม I/O Error ระดับฮาร์ดแวร์โดยอัตโนมัติ โดยไม่ต้อง์ยุ่งกับซอฟต์แวร์หรือการรีสตาร์ท ไปจนถึงระบบ Data Refresh และระบบแจ้งเตือนอุณหภูมิร่วมกับเซ็นเซอร์ตรวจจับอุณหภูมิบนคอนโทรลเลอร์ เพื่อรองรับสำหรับการทำงานบนรถยนต์ที่อุณหภูมิมีการเปลี่ยนแปลงค่อนข้างมาก
ที่มา – ซัมซุง
ต้องยอมรับว่า HUAWEI เป็น Big Brand ในวงการโทรคมนาคมของโลก ไม่ได้มีเฉพาะสมาร์ทโฟน แต่ยังเป็นผู้นำในด้านอุปกรณ์เทคโนโลยีอื่นๆ อีกหลายชนิด ถือเป็นแบรนด์ชั้นนำของจีนที่ใช้ในการบุกตลาดโลก
ในตลาดสมาร์ทโฟนทั่วโลก HUAWEI เป็นแบรนด์ Top10 แต่ใช้เวลาช่วง 2 ปีนี้บุกทำตลาดอย่างหนัก จนขึ้นมาติด Top3 มียอดขายสูงมากทั่วโลก แต่กรณีตั้งแต่ HUAWEI P10 / P10 Plus และล่าสุดกับ HUAWEI Mate9 กับชิ้นส่วนอุปกรณ์ภายใน ไม่ตรงกับที่มีการโฆษณาไว้ ถือเป็นความผิดพลาดครั้งสำคัญ
สรุปใจความสั้นๆ คือ ทั้ง HUAWEI P10 และ P10 Plus ใช้หน่วยความจำ (RAM) ซึ่งมีผลต่อการประมวลผลที่แตกต่างกัน โดยมีทั้งรุ่น UFS 2.1 ที่ให้ความเร็วในการอ่านมากกว่า 700 Mbps ขณะที่รุ่น UFS 2.0 (รุ่นต่ำกว่า) ความเร็วอยู่ที่ประมาณ 500 Mbps รวมถึงรุ่น eMMC 5.1 ความเร็วประมาณ 300 Mbps เช่นเดียวกับรุ่น Mate9 ที่มีการใช้หน่วยความจำหลายแบบเช่นกัน โดยมีการตัดคำโฆษณาใช้ UFS 2.1 ออกจากหน้าเว็บไปแล้ว
แปลว่า สมาร์ทโฟนรุ่นเดียวกัน แต่ชิ้นส่วนอุปกรณ์ภายในไม่เหมือนกัน ซึ่งทาง Richard Yu ซีอีโอ ของ HUAWEI ออกมายอมรับว่า ส่วนตัวเขาใช้งานเองไม่รู้สึกถึงความแตกต่างในการประมวลผล การใช้งานยังไหลลื่น ซึ่งเหตุที่ต้องใช้อุปกรณ์ภายในแตกต่างกัน เพราะยอดขายที่ดีมากจนไม่สามารถผลิตได้ทันกับความต้องการ
มีข้อความจากผู้ใช้ในโลกออนไลน์ จำนวนไม่น้อยเปรียบเทียบกรณีของ HUAWEI ว่าเหมือนกับการซื้อคอมพิวเตอร์แล้วอุปกรณ์ข้างในต่างกัน เช่น Harddisk กับ SSD ซึ่งมีราคาต้นทุนไม่เท่ากัน แต่พอรวมเสร็จกลับขายในท้องตลาดราคาเท่ากัน เท่ากับว่า ผู้บริโภคแต่ละคนจ่ายเงินเท่ากัน แต่ได้ของไม่เหมือนกัน
ยิ่งในยุคดิจิทัลที่ข้อมูลข่าวสารแพร่กระจายอย่างรวดเร็ว ยิ่งบนโลกโซเชียลที่ทุกคนพร้อมแชร์ข้อมูล การทำผิดพลาดและไม่แก้ไขอย่างทันท่วงที (หรือแก้ไขแบบผิดๆ) ยิ่งกลายเป็นความผิดพลาดซ้ำสองและจะส่งผลเสียต่อแบรนด์อย่างรุนแรง
ลองพิจารณาเหตุการณ์ดังกล่าวเพื่อเป็นกรณีศึกษาให้กับบริษัทต่างๆ ในไทย ซึ่งจำนวนไม่น้อยเป็นบริษัทข้ามชาติ หากกรณีนี้เกิดขึ้นกับบริษัทแม่ในต่างประเทศ และส่งผลมาถึงการทำตลาดในไทย ควรทำอย่างไร จริงอยู่ว่าก็ขึ้นอยู่กับนโยบายของบริษัทแม่ด้วยว่าจะมีท่าทีอย่างไร
แต่สิ่งที่จะแก้ปัญหาได้เร็วที่สุดคือ “คำขอโทษอย่างจริงใจ” ต่อกรณีที่เกิดขึ้นไม่ว่าจะด้วยเหตุผลใด ช่วยผ่อนหนักเป็นเบา จากนั้นควรมีมาตรการเยียวยาตามมาโดยเร็วที่สุด ถือเป็นทางออกที่พอจะเป็นไปได้ เช่น การชดเชยผู้ซื้อที่ได้เครื่องรุ่นสเปคต่ำ การรับซื้อคืน หรือแลกซื้อเครื่องใหม่ เป็นต้น
Brand Inside ได้วิเคราะห์เรื่องของ United Airlines ไปก่อนหน้านี้ว่า CEO ไม่ควรออกโรงมาตั้งแต่แรก แต่ควรให้โฆษกหรือผู้บริหารระดับรองออกมาชิมลางก่อน และให้ CEO เป็นแผนสอง เพื่อย้ำหรือเพื่อแก้สถานการณ์ เรื่องนี้มีส่วนคล้ายกันคือ ท่าทีของ CEO ที่มีผลต่อภาพรวม
เพราะ ผู้บริโภคกำลังรอฟังว่า CEO จะพูดอะไร ดังนั้นการให้ข่าวกับสื่อมวลชน (หรือคนในสังคม) ต้องคม และมีทิศทางที่ชัดเจน
Richard Yu ซีอีโอ ของ HUAWEI ออกมาโพสต์ผ่านทาง Weibo ซึ่งการเป็นข้อความ ทำให้ยากที่จะอ่านความรู้สึกของผู้เขียนได้ และยิ่งเนื้อหาระบุว่าปัญหาอยู่ที่ supply chain ผลิตชิ้นส่วนอุปกรณ์ไม่ทันต่อความต้องการของตลาด จึงนำชิ้นส่วนอื่นมาใช้ทดแทน นั่นแสดงว่า HUAWEI ให้ความสำคัญกับยอดขาย แต่ต้องไม่ลืมว่า ผู้บริโภคไม่ได้มองการใช้งานไหลลื่นไม่แตกต่างกัน แต่สาระสำคัญคือ อุปกรณ์ที่ใส่มาในสมาร์ทโฟนรุ่นเดียวกัน แต่แตกต่างกันและไม่เหมือนกับที่โฆษณาไว้
นี่เป็นเรื่องของบริษัทแม่ในต่างประเทศ บริษัทในไทยคงทำอะไรไม่ได้มาก นอกจากจะมีนโยบายสั่งการลงมา แต่ก็ต้องยอมรับผลที่จะตามมาด้วย จริงอยู่ประเทศไทยอาจจะเป็นตลาดเล็กๆ ไม่มีผลต่อยอดขายรวม แต่ก็ต้องไม่ลืมว่าข่าวสารที่ไว ทำให้ผู้บริโภคตื่นตัวและอาจส่งผลเสียระยะยาวต่อแบรนด์ได้ มารอดูกันว่า HUAWEI จะแก้วิกฤตครั้งนี้อย่างไร
ติดตามข่าวสารจาก Brand Inside ได้จาก Facebook ของเรา
Silicon Motion Technology เปิดตัวหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง UFS 2.1 (Universal Flash Storage) ทำความเร็วในการอ่าน/เขียนแบบสุ่มสูงถึง 50,000/40,000 IOPS มีความจุถึง 512GB และใช้พลังงานต่ำ ช่วยเพิ่มความสามารถให้กับสมาร์ทโฟนที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลสูงสำหรับบันทึกคอนเท้นต์ 4K และ AR/VR
หน่วยความจำแบบ UFS 2.1 มีประสิทธิภาพในการอ่าน/เขียนข้อมูล มากกว่า 3 เท่า เมื่อเทียบกับ eMMC 5.1 ที่ใช้งานในตลาดปัจจุบัน และมีการประเมินว่าหน่วยความจำแบบ UFS จะเข้ามาแทนที่ eMMC ในอีก 5 ปีข้างหน้า
Silicon Motion Technology กำลังมองหาพาร์ทเนอร์ เพื่อจะเริ่มผลิตหน่วยความจำ UFS 2.1 ในปลายปี 2017 ดังนั้น สมาร์ทโฟนระดับพรีเมี่ยมในปี 2018 จึงมีโอกาสสูงที่จะมาพร้อมหน่วยความจำรุ่นใหม่ และมีความจุสูงถึง 512GB ขณะที่สมาร์ทโฟนในปัจจุบันมีความจุสูงสุด 256GB
ที่มา – Phonearena
ในทุกๆ ปี เราคาดหวังว่าสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ๆ จะมีการพัฒนาชิปประมวลผลให้เร็วขึ้นกว่ารุ่นก่อน เรามองหา RAM ที่สูงขึ้น พื้นที่ความจุที่เยอะขึ้น แบตเตอรี่ก้อนใหญ่ขึ้น แต่ประเด็นสำคัญที่คนส่วนใหญ่ลืมให้ความสำคัญไปก็คือ ความเร็วของหน่วยความจำในตัว
การ์ดความจำภายนอก ถูกพัฒนาให้ทำงานได้เร็วขึ้น มีความจุเพิ่มมากขึ้น แต่อย่างที่ทราบกันดีมันไม่สำคัญสำหรับ iPhone เพราะอุปกรณ์ iOS ไม่ได้รองรับสิ่งเหล่านั้น Apple มุ่งเน้นไปที่ประสิทธิภาพความจำในตัว และเราเห็นได้ชัดเจนเมื่อนำ iPhone 6 กับ iPhone 6s มาเปรียบเทียบกัน
ความเร็วในการอ่านข้อมูล
ความเร็วในการเขียนข้อมูล
คู่แข่งอย่าง Samsung ก็ไม่ได้หยุดนิ่งเช่นกัน เมื่อเดือนกุมภาพันธ์ที่ผ่านมา ได้เปิดตัวเทคโนโลยี UFS 2.0 ความจุ 256GB มีความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงถึง 850MB/s และความเร็วในการเขียนข้อมูล 260MB/s แต่จากรายงานของ AnandTech มันชัดเจนที่ iPhone ยังมีความเร็วที่เหนือกว่าคู่แข่ง นั่นเป็นเพราะ Apple มีวิธีจัดการหน่วยความจำที่มีประสิทธิภาพสูง โดยมีการนำวิธีที่ใช้กับ MacBook มาประยุกต์ใช้กับสมาร์ทโฟน
ความเร็วในการอ่านข้อมูล
ความเร็วในการเขียนข้อมูล
กล้องดิจิตอลที่มากับ Drone ก็เป็นปัจจัยสำคัญในการพัฒนาหน่วยความจำให้เร็วขึ้นและมีความจุเพิ่มขึ้น เพื่อรองรับการถ่ายวีดีโอความละเอียด 4K หรือ 8K ในอนาคต Samsung เป็นผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ และต้องการพัฒนาความสามารถของสินค้าตัวเองเพื่อตอบสนองความต้องการของตลาด คาดว่าหน่วยความจำในตัวประเภท UFS ที่มีใช้ในสมาร์ทโฟนเรือธง จะสามารถทำความเร็วได้ถึง 2.4GB/s ในปี 2018
ที่มา – BGR
เมื่อซัมซุงกำลังพยายามสร้างอารยธรรมโดยการเปิดตัวเมโมรีการ์ดแบบใหม่ในชื่อ UFS สิ่งที่ตามมาคือคำถามว่า “แล้วใครจะเอาด้วย?” ซัมซุงจึงต้องพัฒนาสล็อตอ่านการ์ดแบบใหม่ที่รองรับทั้ง UFS ของตน และ microSD ที่เป็นที่แพร่หลาย
ซัมซุงเปิดเผยว่า “การ์ด UFS แบบใหม่นี้ใช้กับสล็อตอ่าน microSD ไม่ได้ อย่างไรก็ตาม พวกเราได้พัฒนาสล็อตแบบใหม่ที่รองรับทั้ง UFS และ microSD โดยเรากำลังร่วมมือกับพาร์ทเนอร์หลายรายเพื่อดันให้พวกเขานำมันไปใช้ในอุปกรณ์ยุคถัดไป”
ทั้งนี้ ยังไม่มีข้อมูลว่าอุปกรณ์ใดจะเป็นตัวแรกที่รองรับการ์ด UFS หรือสล็อตแบบใหม่ดังกล่าว แต่ก็คงไม่น่าแปลกใจนักถ้า Galaxy Note 7 จะเป็นอุปกรณ์ตัวแรกที่มาพร้อมกับเทคโนโลยีใหม่นี้
Blognone ขอย้ำอีกทีว่า UFS ไม่ใช่ microSD นะครับ
ที่มา – Droid Life
techfeedthai 